STW9N80K5

STW9N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件在25°C结温下额定连续漏极电流为7A，并具备极低的栅极电荷（Qg，最大值12nC），这有助于实现快速开关并减少驱动损耗，特别适用于高频开关电源设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性与稳定性。

• 型号:STW9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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