STWA20N95K5技术参数详情：
STWA20N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括高达950V的漏源电压（Vdss）和17.5A的连续漏极电流处理能力，专为高压功率转换应用设计。
其技术优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至330毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg max: 40nC）确保了快速的开关切换，有助于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为工业电源、新能源逆变及电机驱动等高效能、高可靠性应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STWA20N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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