STWA48N60DM2

STWA48N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心电气参数针对高压高效应用进行了优化。

其关键特性包括600V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。尤为突出的是其低至79毫欧的导通电阻（Rds(on) @ 10V, 20A）以及仅70nC的栅极电荷（Qg @ 10V），这一组合显著降低了导通与开关损耗，有助于实现更高的系统效率和更快的开关频率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高端消费类电源等应用中理想的功率开关解决方案。

• 型号:STWA48N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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