STY130NF20D

STY130NF20D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用MAX247通孔封装，核心电气参数突出，具备200V的漏源电压（Vdss）和高达130A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于高功率应用环境。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、65A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为12毫欧，这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。同时，338nC的最大栅极电荷（Qg）和宽泛的栅源电压范围（±20V）为设计高效率的开关驱动电路提供了便利。器件标称功率耗散为450W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工况下的稳定运行潜力。

• 型号:STY130NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STY130NF20D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。