STY145N65M5技术参数详情：
STY145N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高效能功率转换，其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）和138A（Tc）的高连续电流处理能力。
器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至15毫欧 @ 69A，显著降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关速度和降低开关损耗。采用MAX247通孔封装，支持150°C的最高结温（TJ）和625W（Tc）的功率耗散，确保了在高功率应用中的热可靠性和稳定性。
- 型号:STY145N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:414 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:18500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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