TD350E技术参数详情：
TD350E是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。其核心特性包括宽范围工作电压（12V-26V）、强大的2.3A/1.5A峰值输出电流以及快速的开关性能（典型上升/下降时间为130ns/75ns），能有效降低开关损耗，提升系统效率。
该器件逻辑输入兼容性强（VIL/VIH为0.8V/4.2V），采用非反相输入，便于与控制器接口。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，并内置欠压锁定保护，确保了在工业电机驱动、电源转换和逆变器等严苛应用环境中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:TD350E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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