VNB35NV04-E技术参数详情：
VNB35NV04-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低边配置的智能功率开关。该器件基于VIPower技术，集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路，采用D2PAK封装，专为高电流开关应用而设计。
其核心优势在于高达30A的输出电流能力和极低的导通电阻（典型值13mΩ），能显著降低功率损耗。器件内置了全面的保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，确保了在恶劣电气环境下的高可靠性。它采用简单的开/关接口控制，无需外部逻辑电源，简化了系统设计。
该开关支持最大36V的负载电压，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，使其成为汽车车身电子、工业控制系统及各类负载驱动应用的理想选择。
- 型号:VNB35NV04-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:30A
- 导通电阻（典型值）:13 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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