VND05B(011Y)技术参数详情:
VND05B(011Y)是ST意法半导体生产的一款双通道高端智能功率开关IC,属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器类别。该器件采用7引脚HEPTAWATT通孔封装,集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每个通道可处理高达1.6A的持续电流,并支持6V至26V的宽负载电压范围,非常适合12V/24V汽车电池系统。
其核心价值在于高度的集成性与可靠性。器件具备低至200毫欧的典型导通电阻,有效降低了导通损耗。同时,它集成了全面的保护功能,包括开路负载检测和过温关断,并提供了状态标志输出用于实时诊断,极大增强了驱动电路的安全性和可维护性。其简单的开/关控制接口与非反相输入逻辑,使得它能够方便地由微控制器直接驱动。
- 制造商产品型号:VND05B(011Y)
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 HEPTAWATT-7
- 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率-输入:输出:1:1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压-负载:6V ~ 26V
- 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
- 电流-输出(最大值):1.6A
- 导通电阻(典型值):200 毫欧(最大)
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:开路负载检测,超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:7-HEPTAWATT
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