VNLD5300TR-E技术参数详情：
VNLD5300TR-E是ST意法半导体OMNIFET III系列的一款双通道、低侧智能功率开关。它集成了一个36V、2A的N沟道功率MOSFET，典型导通电阻仅为300毫欧，并内置了全面的保护与诊断功能。
该器件无需外部VCC电源，直接由逻辑输入控制，极大简化了设计。其关键特性包括固定限流、过温关断、过压保护、欠压锁定(UVLO)以及开路负载检测。此外，它提供状态标志诊断输出，并具备故障后自动重启能力，工作结温范围为-40°C至150°C，采用8-SO表面贴装封装，适用于要求高可靠性的汽车和工业负载驱动应用。
- 型号:VNLD5300TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:2A
- 导通电阻（典型值）:300 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:自动重启，状态标志
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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