1N5711技术参数详情：
1N5711是ST意法半导体推出的一款高性能肖特基二极管，专为射频（RF）与高速应用而优化。其核心优势在于极低的结电容（典型值2pF @ 0V, 1MHz）和快速的开关特性，能够最大限度地减少高频信号损耗，确保信号完整性。
该器件提供70V的峰值反向电压和15mA的最大正向电流，额定功耗为430mW，采用标准的DO-35轴向玻璃封装，工作结温范围覆盖-65°C至200°C。这些参数共同定义了其在中小功率、宽温范围下的可靠工作能力，使其成为VHF/UHF检波、混频、高速开关及钳位电路的理想选择。
- 型号:1N5711
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DO-35
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 二极管类型:肖特基 - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
- 电流 - 最大值:15 mA
- 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
- 不同If、F 时电阻:-
- 功率耗散（最大值）:430 mW
- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装:DO-35
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