IRF840技术参数详情：
IRF840是ST意法半导体PowerMESH II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心规格包括500V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)，适用于中高压功率开关应用。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至850毫欧（@3.5A），有助于降低导通损耗。其栅极电荷(Qg)为39nC，结合832pF的输入电容，确保了较快的开关速度。器件最大结温为150°C，热性能可靠，适合要求高鲁棒性的工业环境。
- 型号:IRF840
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:832 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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