L6386AD技术参数详情：
L6386AD是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装。该器件集成了两个独立通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，其高压侧可承受高达600V的电压，并内置自举二极管，简化了高压侧供电设计。
其核心优势在于强大的驱动能力和快速的开关特性，峰值拉电流和灌电流分别为650mA和400mA，配合低至数十纳秒的上升/下降时间，能有效降低开关损耗。器件支持宽范围逻辑输入，兼容3.3V和5V微控制器，并具备欠压锁定保护功能，工作温度范围达-40°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:L6386AD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
- 现在可以订购L6386AD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
