L6389ED技术参数详情:
L6389ED是ST意法半导体生产的一款有源、独立式半桥栅极驱动器IC,属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装,设计用于驱动IGBT及N沟道、P沟道MOSFET等功率开关器件。
其核心卖点在于强大的驱动性能与高集成度。它提供高达400mA灌入和650mA拉出的峰值输出电流,结合70ns(典型上升)和40ns(典型下降)的快速开关时间,能有效优化功率器件的开关动态,降低损耗。器件支持最大600V的高压侧自举电压和17V的供电电压,并具备宽达-45°C至125°C的工作结温范围,确保了在严苛工业环境下的稳定性和耐用性。其反相输入逻辑兼容常见的控制信号,为构建高效的半桥功率拓扑提供了可靠、简洁的驱动解决方案。
- 型号:L6389ED
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道,P 沟道)
- 电压 - 供电:17V(最大)
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.1V,1.8V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
- 上升/下降时间(典型值):70ns,40ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
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