L6390D技术参数详情：
L6390D是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用16-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。该器件集成了两个独立通道，支持高达600V的自举电压，并内置自举二极管，简化了高压侧驱动电源设计。
其核心优势在于出色的开关性能与驱动能力。器件提供430mA拉电流和290mA灌电流的峰值输出，结合仅75ns和35ns的典型上升/下降时间，可确保功率管快速开关，降低开关损耗。宽范围供电电压（12.5V-20V）与广泛的逻辑输入兼容性（VIL/VIH为1.1V/1.9V），使其能直接连接主流微控制器。此外，其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，满足严苛的工业环境要求。
- 型号:L6390D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:16-SO
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