MJD117T4技术参数详情:
MJD117T4是ST意法半导体生产的一款表面贴装PNP达林顿晶体管,采用TO-252-3(DPak)封装。该器件集成了达林顿对管结构,实现了极高的电流增益,其最小直流电流增益(hFE)在2A, 3V条件下可达1000,显著降低了对前级驱动电流的要求。
该晶体管设计用于中功率开关与线性应用,关键参数包括100V的集射极击穿电压和2A的最大集电极电流,确保了在高压、大电流环境下的工作可靠性。其最大饱和压降仅为3V @ 40mA, 4A,有助于减少导通损耗。此外,器件支持高达20W的功耗和150°C的结温,结合DPak封装良好的热性能,使其成为电机驱动、负载开关和电源调节等应用的稳健选择。
- 型号:MJD117T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):20A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
- 功率 - 最大值:20 W
- 频率 - 跃迁:25MHz
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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