VND5E012AY-E技术参数详情:
VND5E012AY-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件采用PowerSO-36封装,集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每通道可支持高达52A的持续输出电流,典型导通电阻仅为11毫欧,能够在4.5V至28V的宽电压范围内高效工作。
其核心优势在于高度的集成化和完备的保护功能。器件通过简单的开/关接口即可控制,无需外置驱动电路。它内置了固定值限流、过温关断和过压保护,并具备故障后自动重启机制,确保了驱动电机、螺线管等负载时的系统安全性与鲁棒性。其工作结温范围为-40°C至150°C,满足汽车及工业应用的严苛环境要求。
- 型号:VND5E012AY-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-36
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1:1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出(最大值):52A
- 导通电阻(典型值):11 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流(固定),超温,过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerSO-36
- 封装/外壳:PowerSO-36 裸露底部焊盘
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