PD84006L-E技术参数详情：
PD84006L-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，专为870MHz频段的高性能功率放大应用而设计。该器件在7.5V工作电压下可提供2W的输出功率和15dB的增益，实现了高效率的信号放大。
其采用8-PowerVDFN紧凑型封装，具备25V的高额定电压和5A的电流处理能力，确保了在有限空间内强大的功率输出和散热效能。这款有源器件适用于需要稳定、可靠的中功率射频放大解决方案的各类专业无线通信系统。
- 型号:PD84006L-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:2W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
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