PD85025STR-E技术参数详情：
PD85025STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心设计用于在870MHz频率下提供高效的功率放大，其典型功率增益为17.3dB，射频输出功率可达10W，展现了出色的信号放大能力。
器件额定工作电压为40V，测试电压13.6V，最大额定电流7A，具备较强的功率处理性能。其封装底部的裸露焊盘设计优化了散热路径，提升了在持续高功率工作下的热可靠性。该晶体管主要面向需要高增益和高输出功率的专业射频放大应用场景。
- 型号:PD85025STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:17.3dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:10W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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