SCTW35N65G2VAG技术参数详情：
SCTW35N65G2VAG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道SiCFET。该器件采用先进的碳化硅技术，提供了650V的漏源电压额定值和45A的连续漏极电流能力，专为高要求、高可靠性的应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值67mΩ @ 20A, 20V）与栅极电荷（最大值73nC @ 20V），这共同确保了在高频开关条件下依然具备卓越的能效表现和低损耗特性。结合其宽工作结温范围（-55°C至200°C）以及坚固的HiP247通孔封装，使其成为新能源汽车电驱系统、车载充电及工业高密度电源等关键功率转换场景的理想选择。
- 型号:SCTW35N65G2VAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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