SCTW40N120G2VAG技术参数详情：
SCTW40N120G2VAG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道SiCFET功率开关。该器件采用先进的碳化硅技术，具备1200V的漏源电压和33A的连续漏极电流处理能力，专为高效、高可靠性的高压应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻（最大105mΩ @ 20A， 18V）和优化的开关特性（栅极电荷最大63nC），这显著降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。结合HiP247通孔封装提供的优异热性能（最大功耗290W）以及-55°C至200°C的宽工作结温范围，使其能够在汽车和工业等严苛环境中稳定运行。
- 型号:SCTW40N120G2VAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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