SM2T6V8A技术参数详情：
SM2T6V8A是ST意法半导体SM2T系列中的一款200W峰值功率瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件专为保护5V工作电压的电路而设计，其反向关断电压（VRWM）为5V，击穿电压（VBR）最小值为6.4V，能够在承受19.6A（10/1000s）的大浪涌电流时，将电压箝位在最大值9.2V以内，从而为后级敏感元件提供有效的过压防护。
该TVS二极管采用单向齐纳架构和表面贴装型DO-216AA（SMC）封装，适用于需要防止静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）及其他电压瞬变危害的通用应用场景。其高功率处理能力和精确的箝位特性，使其成为通信接口、数据线及5V电源总线保护的可靠解决方案。
- 型号:SM2T6V8A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:STmite（DO-216AA）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO216AA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:5V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.4V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:9.2V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):19.6A
- 功率 - 峰值脉冲:200W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:DO-216AA
- 供应商器件封装:STmite（DO-216AA）
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