STB100N6F7

STB100N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。

其关键电气参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和100A（T_C）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.6mΩ（@50A），同时栅极总电荷（Q_G）最大值低至30nC（@10V）。这一低R_DS(on)与低Q_G的组合，使其能够在大电流应用中有效降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。

器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功耗为125W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源转换和电机驱动解决方案提供了强有力的硬件支持。

• 型号:STB100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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