STP10N60M2

STP10N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）额定值，结合其低至600毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在高压大电流应用中具备出色的功率处理能力和低传导损耗。

此外，其优化的动态特性，如极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著提升了开关速度并降低了开关损耗，使其非常适合于高频开关电源设计。器件采用TO-220封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为工业级电源转换、电机驱动和照明系统等应用提供了高可靠性和高效率的解决方案。

• 型号:STP10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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