STB11NM80T4

STB11NM80T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优异开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至400毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大43.6nC的低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-65°C至150°C）和150W的功率耗散能力，确保了其在工业环境下的稳定运行。

• 型号:STB11NM80T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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