STB13NM50N技术参数详情：
STB13NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为500V漏源电压和12A连续漏极电流，专为高效率、高可靠性的高压开关应用而设计。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻典型值低至320毫欧，有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，从而提升系统整体能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中主开关或同步整流元件的理想选择。
- 制造商产品型号：STB13NM50N
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 6A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
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