STB18N60M2

STB18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和13A的连续漏极电流（I_D），专为高压、高功率应用设计。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为280毫欧，同时具备较低的栅极电荷（Q_g），这共同优化了开关性能与能效。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达110W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的鲁棒性和可靠性。

• 型号:STB18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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