STB5NK50Z-1技术参数详情：
STB5NK50Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）仅为1.5欧姆（@2.2A），同时栅极电荷（Qg）低至28nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，能有效降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于对可靠性要求较高的工业与消费类电源解决方案。
- 型号:STB5NK50Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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