STB6NM60N

STB6NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与4.6A连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性的平衡。最大920毫欧的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）和输入电容则确保了快速开关与低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、功率校正及工业控制等应用中高效功率开关的理想选择。

• 型号:STB6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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