STB75NF75LT4技术参数详情：
STB75NF75LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其优异的导通性能与开关效率平衡。
其关键电气参数包括75V的漏源电压(Vdss)和高达75A的连续漏极电流(Id)承载能力。在VGS=10V条件下，其导通电阻(RDS(on))最大值仅为11毫欧，这直接带来了更低的导通损耗。同时，较低的栅极电荷(Qg)和2.5V的最大栅极阈值电压(VGS(th))，使其易于驱动并有利于实现高速开关操作。这些特性共同构成了其在功率转换应用中实现高效率和可靠性的基础。
- 型号:STB75NF75LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 37.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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