STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04-1是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)典型值4mΩ @ 10V, 40A）与高电流处理能力（连续漏极电流80A @ T_C）的出色结合，旨在最大限度地降低传导损耗，提升功率转换效率。

该器件具备30V的漏源电压（V_DSS）额定值，并支持4.5V逻辑电平驱动，便于与标准控制器接口。其动态特性，如110nC的栅极电荷（Q_g），有助于实现快速的开关速度，降低开关损耗。稳健的热设计（最大功耗300W）和宽广的工作结温范围（-60°C 至 175°C）确保了其在 demanding 应用环境下的长期可靠性。

• 型号:STB80NF03L-04-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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