STP270N8F7

STP270N8F7是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括80V的漏源电压（V_DSS）和高达180A的连续漏极电流（I_D）能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和90A条件下，R_DS(on)最大值仅为2.5毫欧，这能显著降低传导损耗并提升系统效率。同时，193nC的栅极电荷（Q_G）有助于实现高效的开关性能。器件采用TO-220封装，结温范围覆盖-55°C至175°C，为各类严苛的功率开关和转换应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STP270N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP270N8F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。