STB95N4F3

STB95N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，设计用于表面贴装应用，核心优势在于其卓越的功率处理能力与能效表现。

其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流（Id）。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.8毫欧（@40A），配合仅54nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），共同确保了极低的传导损耗和快速的开关瞬态，从而优化了整体系统效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求严苛的功率开关环境。

• 型号:STB95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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