STB9NK80Z技术参数详情：
STB9NK80Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术开发的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，这有效平衡了高压阻断能力与导通损耗之间的矛盾，提升了高压开关应用的效率。
其电气参数针对高效开关进行了优化，40nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关速度，降低开关损耗。器件采用D2PAK封装，最大耗散功率达125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性与强大的热管理能力。这些特性使其成为汽车电子、工业电源及高端照明系统中高压功率开关电路的理想解决方案。
- 型号:STB9NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB9NK80Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
