STD150NH02LT4

STD150NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。

其关键参数包括24V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温（T_C）条件下高达150A的连续漏极电流额定值。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）可低至3.5毫欧（@75A），这显著降低了传导损耗。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于实现高效的开关性能，适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。

• 型号:STD150NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 150A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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