STD2N105K5

STD2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，专为要求高效率和可靠性的高压开关应用而设计。

其核心参数包括高达1050V的漏源电压（V_DSS）和1.5A的连续漏极电流（I_D）。关键优势在于优异的动态性能平衡：在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值为8欧姆，同时栅极电荷（Q_g）最大仅为10nC，这共同实现了较低的导通与开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的稳定运行。

• 型号:STD2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD2N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。