STD90N03L技术参数详情：
STD90N03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其30V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达80A（Tc）的连续漏极电流，同时实现了极低的导通电阻，典型值仅为5.7毫欧（@40A, 10V）。
其电气参数设计旨在优化功率转换效率。低至32nC（@5V）的栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗并简化驱动设计，而1V（@250A）的最大栅极阈值电压则确保了良好的逻辑电平兼容性。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），功耗能力达95W（Tc），为要求高可靠性和高效率的电源与电机控制应用提供了坚实的硬件基础。
- 型号:STD90N03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2805 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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