STD2NK90Z-1技术参数详情：
STD2NK90Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件专为高压应用设计，其核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和2.1A的连续漏极电流（Id），提供了出色的电压阻断能力和电流处理能力。
在性能上，其优化的导通电阻与栅极电荷（Qg）实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。采用I-PAK通孔封装，支持高达70W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类工业与消费电子电源设计中的高可靠性和耐用性。
- 型号:STD2NK90Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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