STD30PF03L-1技术参数详情：
STD30PF03L-1是ST意法半导体推出的一款采用I-PAK封装的P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于30V电压环境，能够在壳温条件下承载高达24A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（28毫欧 @ 10V, 12A）与优化的栅极电荷（28nC @ 5V），这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能。
其参数配置使其易于驱动，栅极阈值电压最大仅1V，兼容标准逻辑电平。器件支持±16V的栅源电压，并提供70W（Tc）的功率处理能力，工作结温高达175°C，具备良好的热可靠性。这些特性使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，例如在电源转换、电机控制和负载管理电路中实现高效的功率路径控制。
- 型号:STD30PF03L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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