STD36P4LLF6

STD36P4LLF6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET F6技术的P沟道功率MOSFET。该器件在40V的漏源电压（V_DSS）下，具备36A（Tc）的高连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS条件下最大值仅为20.5mΩ，能显著降低功率损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）低至22nC，支持快速开关，有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功率耗散为60W（Tc），工作结温高达175°C，确保了在紧凑空间内的可靠性与散热性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机控制应用的理想选择。

• 型号:STD36P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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