STD3LN62K3

STD3LN62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括620V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为离线式电源应用提供了坚实的电压耐受基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3欧姆，有效降低了导通损耗。同时，最大17nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为消费类电源适配器、LED驱动及工业辅助电源等中低功率开关电源设计中初级侧开关管的可靠选择。

• 型号:STD3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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