STD4NS25T4

STD4NS25T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心参数包括250V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的耐压和电流处理能力。

其技术亮点在于平衡的性能表现：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.1欧姆，有助于降低导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为27nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为50W，确保了在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为中等功率开关电源、转换器及电机控制等应用的合适选择。

• 型号:STD4NS25T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:355 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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