STD50NH02L-1技术参数详情：
STD50NH02L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗。
其关键参数包括24V的漏源电压（Vdss）和高达50A（Tc）的连续漏极电流（Id）。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为10.5毫欧（@25A），配合24nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），实现了高效率与快速开关特性的理想平衡。这些特性使其非常适合用于要求严苛的功率开关应用。
- 型号:STD50NH02L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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