STD5NK50ZT4

STD5NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数突出，具备500V的高漏源电压（V_DSS）和4.4A（T_C）的连续漏极电流能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为1.5Ω（@2.2A），栅极电荷（Q_g）最大值低至28nC。这一特性使其在开关应用中能同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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