STD65N3LLH5

STD65N3LLH5是STMicroelectronics推出的一款采用STripFET V技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V V_GS下最大值仅为6.9mΩ，配合高达65A（T_C）的连续漏极电流能力，能够显著降低系统传导损耗，提升能效。

该器件具备优异的开关性能，栅极电荷（Q_g）低至8nC，支持快速开关切换，适用于高频操作场景。其工作电压为30V，驱动灵活，标准逻辑电平即可有效驱动。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动及电源管理等应用领域。

• 型号:STD65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.9 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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