STD8N60DM2技术参数详情：
STD8N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在DPAK封装内集成了600V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为600毫欧 @ 4A，能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值13.5nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体电源效率。器件支持高达150°C的工作结温，并采用表面贴装形式，适用于对可靠性和功率密度有较高要求的紧凑型设计。
- 型号:STD8N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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