STP7N105K5技术参数详情：
STP7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5技术系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于高达1050V的漏源击穿电压与低至2欧姆的导通电阻的出色结合，这显著降低了高压条件下的传导损耗。
器件采用TO-220封装，在25°C壳温下额定连续漏极电流为4A，最大功耗可达110W。其开关性能经过优化，栅极电荷低至17nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的工业电源与功率转换系统。
- 型号:STP7N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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