STF20N90K5

STF20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括900V的漏源击穿电压（Vdss）和20A（Tc）的连续漏极电流能力，专为应对高压、大电流的严苛应用环境而设计。

其技术亮点在于实现了优异的动态性能与静态参数的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为250毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至40nC（@10V），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能功率转换系统的理想选择。

• 型号:STF20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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