STF20N95K5技术参数详情：
STF20N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款高压N沟道MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源击穿电压与17.5A（Tc）的连续漏极电流能力，结合低至330毫欧（@9A,10V）的导通电阻，为高功率应用提供了优异的传导性能。
此外，其优化的动态特性，包括最大40nC的栅极电荷和1500pF的输入电容，确保了快速的开关切换，有助于降低开关损耗并提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高鲁棒性，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STF20N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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