STF27N60M2-EP技术参数详情：
STF27N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下20A的连续漏极电流（Id）额定值。
其技术优势主要体现在低损耗特性上，在10A电流和10V栅极电压条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为163毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至33nC。这些参数共同确保了器件在高频开关应用中兼具低传导损耗和快速的开关响应。此外，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，采用TO-220FP通孔封装，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业级电源与驱动解决方案。
- 型号:STF27N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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