STF5N95K3技术参数详情：
STF5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220FP封装，属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其950V的漏源击穿电压（Vdss）与3.5欧姆（@10V，2A）的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，专为要求高耐压和低导通损耗的应用而优化。
其动态特性同样出色，最大栅极电荷（Qg）仅为19nC，输入电容（Ciss）最大值为460pF，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件在25°C壳温下可承受4A的连续电流，最大功率耗散为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于开关电源、照明及工业控制等高压功率开关领域。
- 型号:STF5N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF5N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
